近日，电科材料下属国盛公司研发的硅基氮化镓外延片完成客户交付。

　　第三代半导体氮化镓材料具有禁带宽度大、电子饱和速度及电子迁移率高、击穿场强高等特性，在功率与射频领域有广阔的应用前景。硅基氮化镓在具备上述优点的同时兼顾了可低成本、大规模生产的优点，是第三代半导体发展的重要方向。长期以来，国盛公司把握机遇，面对挑战，破解了硅基氮化镓研发生产的多项核心问题，在2023年12月完成了第一枚硅基氮化镓外延片正式下线，实现了产品多元化布局。半年来，国盛公司持续加大硅基氮化镓产品的攻关力度，不断攻克产品产业化关键技术，进一步提升产品质量，顺利实现产品交付，进入产品试样验证阶段，为未来发展奠定了基础。

　　（来源/电科材料）